L'objectif du projet GoSimp est d'
optimiser la fabrication du matériau GaN sur silicium (épitaxie) pour le développement de
composants électroniques hyperfréquences performants et stables. Le projet porte également sur l'optimisation de la fabrication des transistors HEMT (puissance RF).
Porteur de projet
Partenaire CERTeM
Partenaire hors CERTeM