Le projet Cryo-ALE (Cryogenic Atomic Layer Etching) vise à concevoir une technique de gravure de couches atomiques par procédé plasma cryogénique, la Cryo-ALE (Cryogenic Atomic Layer Etching). L'objectif consiste à graver des couches de semi-conducteur ou de diélectrique, couche atomique par couche atomique, au moyen d'un procédé plasma par étapes cycliques. Grâce à ce procédé, il devrait être possible d'atteindre à la fois une précision ultime sur la profondeur à graver, une très faible rugosité du fond de gravure et une très forte sélectivité de gravure avec d'autres matériaux. Ce nouveau procédé de cryogravure est principalement destinée à des applications dans la structuration des Fin-FET (transistor à effet de champ à ailettes) pour les technologies CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), technologie de fabrication de mémoires et processeurs qui requière désormais une précision de l'ordre du nanomètre.
 

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