L'objectif du projet GoSimp est d'optimiser la fabrication du matériau GaN sur silicium (épitaxie) pour le développement de composants électroniques hyperfréquences performants et stables. Le projet porte également sur l'optimisation de la fabrication des transistors HEMT (puissance RF).

Porteur de projet

Partenaire CERTeM

 Partenaire hors CERTeM